مشخصات IRFP 4332
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
360 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
250 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
30 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
57 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
0.02 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
175 C |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
5860 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.033 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO247 |
| کاربردها |
Power MOSFET , Energy Recovery & Pass Switch Application in Plasma Display Panel , PDP Driving Application |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.