مشخصات ترانزیستور B649
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
PNP |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
20 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
180 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
120 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
5 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
1.5 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
140 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
27 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
30 |
| قاب ترانزیستور |
TO126 |
| کاربردها |
audio frequency stage, power transistor, switch, video transistor |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.