مشخصات ترانزیستور B1013
جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
---|---|
قطبیت |
PNP |
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
700 mW |
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
20 V |
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
8 V |
حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
2 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
185 C |
حداقل بهره جریان (Hfe) |
160 |
قاب ترانزیستور |
TO92 |
کاربردها |
audio frequency driver and output stage |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.