مشخصات کتاب تحلیل و طراحی مدارهای مجتمع دیجیتال
Weight |
800 گرم |
---|---|
Size |
وزیری 17×24 سانتی متر |
Number Of Pages |
552 صفحه |
Cover Type |
شومیز |
Author |
دیوید هاجس ، هوریس جکسون |
Translator |
محمود دیانی |
Publisher |
نص |
Suitable For |
دانشگاهیان، مهندسان، طراحان برق و الکترونیک |
ISBN |
964-410-070-0 |
CD / DVD |
ندارد |
این کتاب به شما یاد می دهد که شبیه یک طراح فکر کنید. این کتاب محصول دانش بسیاری از پیشگامان این رشته است. این ویراست اطلاعات با ارزشی برای مهندسین شاغل در صنعت نیمه رسانا دارد. ارزش واقعی در این است که از مبانی قطعات نیمه رسانا شروع می کند و مطالب کلیدی طراحی آی سی های دیجیتال را به صورت گام به گام می آموزد. این کتاب نیز مانند دو ویراست قبلی به منظور استفاده به عنوان کتاب درسی دانشگاهی در سال آخر کارشناسی الکترونیک و کامپیوتر، یا سال اول کارشناسی ارشد نوشته شده است.
در این کتاب خوانایی و سهولت ویراست های قبلی، که به فراگیر شدن آن انجامید حفظ شده است. هدف این بوده است که خواننده مفاهیم و معادلات کلیدی طراحی آی سی های دیجیتال را در اختیار داشته باشد. ولی جزئیات بیان شده بیش از چیزی است که در سایر کتاب ها یافت می شود. مفاهیم به ترتیبی منطقی معرفی می شوند و هرچه کتاب جلوتر می رود تقویت می شوند. معادلات پیچیده به معادلات ساده طراحی تبدیل می شوند تا بتوان آن ها را در محاسبات دستی سریع به کار برد.
مطالب جدید این ویراست شامل موارد زیر است:
- تمرکز روی فناوری CMOS و انتقال مطالب مربوط به دوقطبی به یک پیوست
- بنا نهادن مطالب بر فناوری های 0.18 میکرومتر و 0.13 میکرومتر
- توصیف جدیدترین فرآیندهای ساخت CMOS ، شامل جداسازی با خندق کم عمق ، اتصالات مسی، و دی الکتریک های کم K
- افزودن دو فصل مهم راجع به اتصالات در فناوری بسیار زیرمیکرون
- افزودن مطالب جدید راجع به تلاش منطقی که برای محاسبه ی سریع اندازه ی بهینه ی دروازه در طراحی CMOS سریع لازم است
- افزودن مطالب پیشرفته راجع به حافظه ی آنی یا همان Flash Memory، آرایه های منطقی برنامه پذیر در محل FPGA ، و حافظه های با آدرس محتوی
- افزودن فصلی راجع به طراحی شبکه ی تغذیه ، شبکه ی ساعت و حلقه های قفل شده در فاز
- افزودن بخش جدیدی راجع به مدل BSMI3 و شبیه سازی با استفاده از آن
- استفاده از معادلات CMOS کوتاه کانال دارای اثرات اشباع سرعت در تمام کتاب. برای حاشیه ی نویز و آستانه ی سوئیچینگ معادلات جدیدی به دست آمده است
- مدلسازی خازن پیوند برای منظور کردن اثر جداسازی با خندق کم عمق
- افزودن یک پیوست راجع به آموزش اسپایس
-حذف کامل گالیم آرسناید از کتاب
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.