مشخصات آی جی بی تی ترانزیستور RJH30E2 Transistor IGBT
قطبیت |
N-Channel |
---|---|
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
25 W |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
360 V |
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Vce sat) |
1.7 V |
حداکثر ولتاژ گیت-امیتر (Veg) |
30 V |
حداکثر جریان کلکتور (Ic) |
30 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
زمان صعود (Tr) |
80 nS |
حداکثر ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
60 pF |
قاب ترانزیستور |
TO220FL |
کاربردها |
High Speed Power Switching |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.