مشخصات بی جی تی ترانزیستور A1A4M Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
150 mW |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
60 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
50 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
10 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
100 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
35 |
| قاب ترانزیستور |
SOT23 |
| کاربردها |
Rb 1kOhm, Rbe 10kOhm integrated, switch |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور A1A4M Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.