مشخصات بی جی تی ترانزیستور C8050 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
1 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
40 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
25 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
6 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
1.5 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
100 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
9 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
40 |
| قاب ترانزیستور |
TO-92 |
| کاربردها |
2W Output Amplifier Of Portable Radios In Class B Push-Pull Operation |
ترانزیستور C8050 قطعه ای سه پایه و از نوع ترانزیستور دوقطبی BJT - بی جی تی است. ترانزیستورها در مدارات به عنوان تقویت کننده، سوئیچ الکترونیکی، نوسان ساز، تثبیت کننده ولتاژ و ... به کار می روند. ترانزیستور C8050 از نوع منفی یا NPN بوده و جنس نیمه هادی آن سیلیسیم است.
کاربرد ترانزیستور C8050 به عنوان مدارات تقویت کننده پوش پول کلاس B با توان 2 وات در رادیوهای پرتابل است.
ترانزیستور C8050 در حال حاضر در پکیج TO-3P در فروشگاه تکشوالکترونیک موجود است.
به زودی نحوه تست ترانزیستور C8050 و همچنین مشابه ترانزیستور C8050 در این صفحه معرفی خواهد شد.
دیتاشیت ترانزیستور C8050 در بخش دیتاشیت و فایل ضمیمه موجود است.
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور C8050 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.