مشخصات ترانزیستور ماسفت IRF730 MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
100 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
400 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
20 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
5.5 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
0.05 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
11 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
530 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
1 ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO220 |
| کاربردها |
Switching Applications, |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.