مشخصات ترانزیستور ماسفت FQPF11N80C MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
156 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
800 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
30 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
11 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
15 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
770 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.45 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO220 |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.