مشخصات آی سی HY534256S-70 DIP IC
| نوع: |
حافظه RAM از نوع DRAM با عملکرد Fast Page Mode |
|---|---|
| تعداد پایه: |
۲۰ پایه |
| پکیج: |
DIP-20 |
| ولتاژ تغذیه: |
4.5V تا 5.5V |
| حداکثر دمای کاری: |
۰ تا +۷۰ درجه سانتیگراد |
| کاربرد: |
استفاده در بردهای قدیمی الکترونیکی و دیجیتال |
آیسی HY534256S-70 یک حافظه رم دینامیک (DRAM) از نوع Fast Page Mode است که توسط شرکت Hyundai / Hynix تولید شده و در سیستمهای دیجیتال قدیمی کاربرد گستردهای داشته است. این آیسی دارای ساختار 256K × 4 بیت بوده و در مجموع ظرفیت 1 مگابیت (128 کیلوبایت) حافظه موقت را فراهم میکند. وظیفه اصلی آن ذخیرهسازی موقت دادهها در هنگام کار مدار است و با قطع تغذیه، اطلاعات آن از بین میرود.
این حافظه در پکیج DIP-20 با 20 پایه عرضه شده و با ولتاژ تغذیه 5 ولت کار میکند. زمان دسترسی آن 70 نانوثانیه است که با علامت **-70** مشخص میشود. به دلیل DRAM بودن، برای حفظ دادهها نیاز به رفرش دورهای دارد که توسط مدار کنترلی انجام میشود. ساختار Fast Page Mode باعث میشود دسترسیهای متوالی به دادهها با سرعت بالاتری انجام شود.
آیسی HY534256S-70 بیشتر در بردهای الکترونیکی قدیمی، سیستمهای کامپیوتری نسل قبل، تجهیزات صنعتی و پروژههای آموزشی استفاده میشده است. امروزه این قطعه جزو قطعات تولید متوقفشده محسوب میشود، اما همچنان در تعمیرات، آموزش مفاهیم حافظه DRAM و پروژههای خاص الکترونیکی کاربرد دارد.
مشخصات کلی
نوع قطعه: حافظه Dynamic RAM (DRAM)
سازنده: HYUNDAI / Hynix Semiconductor
چگالی حافظه: 256K × 4 بیت → معادل 1 مگابیت حافظه واقعی (128 کیلوبایت)
پکیج: DIP-20 (پایههای دو ردیفه سوراخخور)
سرعت دسترسی: 70 نانوثانیه (علامت -70)
نوع عملکرد: Fast Page Mode DRAM — افزایش کارایی در خواندن/نوشتن پشتسرهم
ولتاژ تغذیه: حدود 5 ولت
دیتا: CMOS DRAM استاندارد
کاربردها
استفاده در بردهای قدیمی الکترونیکی و دیجیتال
پروژههای DIY / رادیوآماتور / بردهای آموزشی
در کارتهای گرافیک قدیمی / کنترلرهای حافظه اولیه
برای آزمایش و توسعه مدارهای DRAM ساده
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.