مشخصات آی سی IRF7807Z SOP-8 IC
| نوع: |
ترانزیستور قدرت N-کانال (N-Channel Power MOSFET) IRF7807Z یک ماسفت (MOSFET) قدرت از سری HEXFET که برای کاربردهای سوئیچینگ با توان بالا و تلفات کم بهینهسازی شده است. این قطعه به دلیل مقاومت بسیار پایین در حالت روشن (RDS(on)) و بار گیت (Gate Charge) کم، برای مدارات مبدل DC-DC که نیاز به راندمان بالا دارند، ایدهآل است . |
|---|---|
| تعداد پایه: |
۸ پایه این قطعه در پکیج سطحنصب (SMD) SOIC-8 عرضه میشود. پایههای آن شامل درین (Drain)، سورس (Source) و گیت (Gate) با آرایش استاندارد برای این نوع پکیج است. پایههای ۲، ۳، ۴، ۶، ۷ و ۸ به درین (Drain) متصل هستند تا بتوانند جریان بالا را تحمل کنند . |
| پکیج: |
SOIC-8 (Small Outline Integrated Circuit) یک پکیج سطحنصب با ابعاد جمعوجور (حدود ۵ در ۴ میلیمتر) که برای مدارات چگال و مدرن طراحی شده است . |
| ولتاژ تغذیه: |
حداکثر ولتاژ Drain-to-Source (VDS): ۳۰ ولت و حداکثر ولتاژ Gate-to-Source (VGS): ±۲۰ ولت این قطعه برای کار با ولتاژهای پایین تا متوسط (مانند ۳٫۳ ولت و ۵ ولت در سیستمهای دیجیتال) طراحی شده است. تحولات ولتاژ ±۲۰ ولت روی گیت، امکان استفاده از آن را در مدارات با ولتاژهای مختلف راهاندازی فراهم میکند . |
| توان مصرفی: |
جریان خروجی (Drain Current) حداکثر ۱۱ آمپر (در دمای ۲۵ درجه سانتیگراد) و ۸٫۷ آمپر (در دمای ۷۰ درجه سانتیگراد) و حداکثر توان تلفاتی ۲٫۵ وات این قطعه قادر به عبور جریان بالایی است که آن را برای راهاندازی بارهای سنگین در مدارات قدرت مناسب میسازد. همچنین با جریان پالس تا ۸۸ آمپر، میتواند جریانهای هجومی را به خوبی تحمل کند. توان تلفاتی ۲٫۵ وات نشاندهنده نیاز به طراحی حرارتی مناسب است . |
| حداکثر دمای کاری: |
محدوده -۵۵ تا ۱۵۰+ درجه سانتیگراد (دمای اتصال) این گستره دمایی بسیار وسیع، عملکرد مطمئن را در شرایط محیطی مختلف تضمین میکند و نشاندهنده کیفیت بالای این قطعه صنعتی است . |
| کاربرد: |
مبدلهای DC-DC با راندمان بالا (به ویژه برای تغذیه پردازندههای لپتاپ)، یکسوسازهای سنکرون در سیستمهای قدرت، مدارات مدیریت باتری، کارتهای گرافیک، و بهطور کلی هر جایی که نیاز به یک ماسفت قدرت با مقاومت پایین و سرعت سوئیچینگ بالا وجود دارد . |
آیسی IRF7807Z یکی از اعضای معروف خانواده HEXFET از شرکت **Infineon Technologies** است که با استفاده از فناوری پیشرفته، تعادل بیسابقهای بین مقاومت حالت روشن (RDS(on)) و بار گیت (Qg) ایجاد کرده است . این ویژگی باعث کاهش تلفات رسانشی و سوئیچینگ و افزایش قابل توجه راندمان در مبدلهای DC-DC میشود .
**ویژگیهای برجسته این قطعه عبارتند از:**
* **مقاومت بسیار پایین حالت روشن:** با حداکثر ۱۳٫۸ میلیاهم در ولتاژ گیت ۱۰ ولت و ۱۱ آمپر جریان، تلفات توان را به حداقل میرساند .
* **بار گیت کم:** با بار گیت معمولی ۷٫۲ نانوکولن، امکان سوئیچینگ سریع و کاهش تلفات کلیدزنی را فراهم میکند .
* **مقاومت بالا در برابر برفک (Avalanche):** با انرژی قابل تحمل ۶۳ میلیژول، قابلیت اطمینان بالایی در شرایط ولتاژهای ناگهانی دارد .
* **مناسب برای کاربردهای کمولتاژ:** بهینهسازی شده برای ولتاژهای سیستم ۳٫۳ ولت و ۵ ولت که در مدارات دیجیتال مدرن رایج است .
**نکته:** با وجود اینکه برخی منابع این قطعه را منسوخ (Obsolete) اعلام کردهاند ، نسخههای جدیدتر با کد **IRF7807ZPBF** (سازگار با RoHS) و **IRF7807ZTRPBF** (بستهبندی نواری) همچنان در بازار موجود و قابل تهیه هستند .
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.