مشخصات A 1A4M
جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
---|---|
قطبیت |
NPN |
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
150 mW |
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
60 V |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
50 V |
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
10 V |
حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
100 mA |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
حداقل بهره جریان (Hfe) |
35 |
قاب ترانزیستور |
SOT23 |
کاربردها |
Rb 1kOhm, Rbe 10kOhm integrated, switch |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.