مشخصات بی جی تی ترانزیستور BC556 Transistor BJT
جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
---|---|
قطبیت |
NPN |
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
500 mW |
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
80 V |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
65 V |
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
5 V |
حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
100 mA |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
انتقال فرکانس (Ft) |
150 MHz |
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
6 pF |
حداقل بهره جریان (Hfe) |
110 |
قاب ترانزیستور |
TO92 |
کاربردها |
low noise pre - amplifier applications |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور BC556 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.