مشخصات بی جی تی ترانزیستور D998 Transistor BJT
جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
---|---|
قطبیت |
NPN |
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
80 W |
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
120 V |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
120 V |
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
5 V |
حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
10 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
انتقال فرکانس (Ft) |
12 MHz |
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
170 pF |
حداقل بهره جریان (Hfe) |
55 |
قاب ترانزیستور |
TO3PML |
کاربردها |
High power amplifier applications , audio frequency amplifier output stage |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور D998 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.