مشخصات بی جی تی ترانزیستور MJ15025 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
PNP |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
250 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
400 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
250 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
5 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
16 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
4 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
600 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
5 |
| قاب ترانزیستور |
TO3 |
| کاربردها |
Disk Head Positioners And Linear Applications,High Power Audio |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.