مشخصات بی جی تی ترانزیستور D845 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
120 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
150 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
150 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
5 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
12 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
20 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
200 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
55 |
| قاب ترانزیستور |
234A |
| کاربردها |
Power Amplifire |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.