مشخصات آی جی بی تی ترانزیستور 30F123 Transistor IGBT
قطبیت |
N-Channel |
---|---|
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
25 W |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
300 V |
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Vce sat) |
2.1 V |
حداکثر جریان کلکتور (Ic) |
120 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
قاب ترانزیستور |
TO220 |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.