مشخصات آی جی بی تی ترانزیستور FGH60N60SFD Transistor IGBT
قطبیت |
N-Channel |
---|---|
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
378 W |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
600 V |
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Vce sat) |
2.3 V |
حداکثر ولتاژ گیت-امیتر (Veg) |
20 V |
حداکثر جریان کلکتور (Ic) |
120 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
زمان صعود (Tr) |
42 nS |
قاب ترانزیستور |
TO247 |
کاربردها |
Induction Heating, UPS, SMPS, PFC |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.