مشخصات بی جی تی ترانزیستور NJW0281G Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
150 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
250 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
250 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
5 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
1.5 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
30 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
400 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
75 |
| قاب ترانزیستور |
TO-3P پکیج |
| کاربردها |
high fidelity audio amplifier output stages and other linear applications |
ترانزیستور NJW0281G قطعه ای سه پایه و از نوع ترانزیستور دوقطبی BJT - بی جی تی است. ترانزیستورها در مدارات به عنوان تقویت کننده، سوئیچ الکترونیکی، نوسان ساز، تثبیت کننده ولتاژ و ... به کار می روند. ترانزیستور NJW0281G از نوع منفی یا NPN بوده و جنس نیمه هادی آن سیلیسیم است.
ترانزیستور NJW0281G یک ترانزیستور با کاربرد عمومی است که در طیف گسترده ای از مدارات الکترونیکی و آموزشی استفاده می شود.
ترانزیستور NJW0281G در حال حاضر در پکیج TO-3P در فروشگاه تکشوالکترونیک موجود است.
به زودی نحوه تست ترانزیستور NJW0281G و همچنین مشابه ترانزیستور NJW0281G در این صفحه معرفی خواهد شد.
دیتاشیت ترانزیستور NJW0281G در بخش دیتاشیت و فایل ضمیمه موجود است.
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور NJW0281G Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.