مشخصات بی جی تی ترانزیستور B885 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN-darlington |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
35 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
110 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
100 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
6 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
0.05 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
20 HMZ |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
4000 |
| قاب ترانزیستور |
TO-220 پکیج |
ترانزیستور B885 قطعه ای سه پایه و از نوع ترانزیستور دوقطبی BJT - بی جی تی است. ترانزیستورها در مدارات به عنوان تقویت کننده، سوئیچ الکترونیکی، نوسان ساز، تثبیت کننده ولتاژ و ... به کار می روند. ترانزیستور B885 از نوع منفی یا NPN بوده و جنس نیمه هادی آن سیلیسیم است.
ترانزیستور B885 یک ترانزیستور با کاربرد عمومی است که در طیف گسترده ای از مدارات الکترونیکی و آموزشی استفاده می شود.
ترانزیستور B885 در حال حاضر در پکیج TO-220 در فروشگاه تکشوالکترونیک موجود است.
به زودی نحوه تست ترانزیستور B885 و همچنین مشابه ترانزیستور B885 در این صفحه معرفی خواهد شد.
دیتاشیت ترانزیستور B885 در بخش دیتاشیت و فایل ضمیمه موجود است.
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور B885 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.