مشخصات بی جی تی ترانزیستور B892 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
PNP |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
1 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
60 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
50 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
6 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
2 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
150 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
12 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
40 |
| قاب ترانزیستور |
TO92 |
| کاربردها |
low Vce voltage saturation |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.