مشخصات بی جی تی ترانزیستور BU2508DX Transistor BJT
جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
---|---|
قطبیت |
NPN |
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
45 W |
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
1500 V |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
700 V |
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
5 V |
حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
8 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
90 pF |
حداقل بهره جریان (Hfe) |
7 |
قاب ترانزیستور |
SOT399 |
کاربردها |
TV horizontal deflection, color TV, integrated diode |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور BU2508DX Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.