مشخصات بی جی تی ترانزیستور BU508D Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
125 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
1500 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
700 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
10 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
8 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
7 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
125 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
5 |
| قاب ترانزیستور |
TO218 |
| کاربردها |
horizontal deflection output stages in color TV receivers, integrated diode |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور BU508D Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.