مشخصات D 965
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
750 mW |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
40 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
20 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
7 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
5 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
150 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
50 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
230 |
| قاب ترانزیستور |
TO92 |
| کاربردها |
low-frequency power amplification , stroboscope |
دیدگاه ها