جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
---|---|
قطبیت |
NPN |
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
750 mW |
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
40 V |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
20 V |
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
7 V |
حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
5 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
انتقال فرکانس (Ft) |
150 MHz |
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
50 pF |
حداقل بهره جریان (Hfe) |
230 |
قاب ترانزیستور |
TO92 |
کاربردها |
low-frequency power amplification , stroboscope |
دیدگاه ها