مشخصات بی جی تی ترانزیستور MJE13003 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
2 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
700 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
400 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
9 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
1.5 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
4 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
21 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
20 |
| قاب ترانزیستور |
TO220 |
| کاربردها |
Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits |
ترانزیستور MJE13003 قطعه ای سه پایه و از نوع ترانزیستور دوقطبی BJT - بی جی تی است. ترانزیستورها در مدارات به عنوان تقویت کننده، سوئیچ الکترونیکی، نوسان ساز، تثبیت کننده ولتاژ و ... به کار می روند. ترانزیستور MJE13003 از نوع منفی یا NPN بوده و جنس نیمه هادی آن سیلیسیم است.
از ترانزیستور MJE13003 به عنوان ترانزیستوری با قابلیت های ولتاژ بالا، سرعت کلیدزنی سریع استفاده می شود. به زودی نحوه تست ترانزیستور MJE13003 و همچنین مشابه ترانزیستور MJE13003 در این صفحه معرفی خواهد شد.
دیتاشیت ترانزیستور MJE13003 در بخش دیتاشیت و فایل ضمیمه موجود است
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور MJE13003 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.