مشخصات بی جی تی ترانزیستور B175 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
ژرمانیوم (Ge) |
|---|---|
| قطبیت |
PNP |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
125 mW |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
30 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
6 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
100 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
85 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
700 KHz |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
55 |
| قاب ترانزیستور |
TO1 |
| کاربردها |
Low frequency and Low noise Amplifier |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور B175 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.