مشخصات بی جی تی ترانزیستور MJ3055 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
90 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
70 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
60 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
5 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
10 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
1.5 MHz |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
30 |
| قاب ترانزیستور |
TO3P |
| کاربردها |
General Purpose |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.