مشخصات بی جی تی ترانزیستور BC108 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
600 mW |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
30 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
25 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
5 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
200 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
200 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
150 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
4.5 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
110 |
| قاب ترانزیستور |
TO18 |
| کاربردها |
AF input - and driver stages as well as low noise input stages, collector is connected to case |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور BC108 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.