مشخصات ترانزیستور ماسفت J177 MOSFET Transistor
| قطبیت |
P-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
350 mW |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
30 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
30 V |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
20 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
25 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
30 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
300 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO92 |
| کاربردها |
low level analog switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.