مشخصات ترانزیستور ماسفت FQP60N06 MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
120 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
60 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
20 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
60 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
0.001 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
175 C |
| زمان صعود (tr) |
11 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
2000 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.014 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO220 |
| کاربردها |
Computer Application , Fast Switching Speed |
دیدگاه ها