مشخصات ترانزیستور ماسفت P2504EDG MOSFET Transistor
| قطبیت |
P-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
42 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
40 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
20 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
18 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
29 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
320 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.0258 |
| قاب ترانزیستور |
TO252 |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.