مشخصات ترانزیستور ماسفت 80N06 MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
176 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
60 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
20 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
80 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
10 uA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
175 C |
| زمان صعود (tr) |
500 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
2500 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
10 mOhm |
| قاب ترانزیستور |
TO220 |
| کاربردها |
high efficient switched mode power supplies,active power factor correction, electronic lamp ballast based on half bridge topology |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.