مشخصات ترانزیستور ماسفت 21N60 MOSFET Transistor
قطبیت |
N-Channel |
---|---|
حداکثر توان مصرفی (Pd) |
300 W |
حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
600 V |
حداکثر جریان درین (Id) |
21 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
زمان صعود (tr) |
250 nS |
مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.3 Ohm |
قاب ترانزیستور |
TO247 |
کاربردها |
Power MOSFET, HIPerFET |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.