مشخصات ترانزیستور ماسفت 10N80S MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
240 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
800 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
30 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
10 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
0.1 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
130 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
2150 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.9 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO3P |
| کاربردها |
Power MOSFET ,Load Switch , PWM applications |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.