مشخصات آی جی بی تی ترانزیستور RJP30H1 Transistor IGBT
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
40 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
360 V |
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Vce sat) |
1.5 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-امیتر (Veg) |
30 V |
| حداکثر جریان کلکتور (Ic) |
30 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (Tr) |
0.08 uS |
| قاب ترانزیستور |
TO252 |
| کاربردها |
High speed power switching |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.