مشخصات آی جی بی تی ترانزیستور IXDN75N120 Transistor IGBT
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
660 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
1200 V |
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Vce sat) |
2.2 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-امیتر (Veg) |
20 V |
| حداکثر جریان کلکتور (Ic) |
150 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (Tr) |
50 nS |
| قاب ترانزیستور |
SOT227 |
| کاربردها |
AC motor speed control , DC servo and robot drives , DC choppers , Uninteruptible power supplies (UPS) , Switch-mode and resonant-mode power supplies |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.