مشخصات آی جی بی تی ترانزیستور IXFH50N60 Transistor IGBT
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
223 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
600 V |
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Vce sat) |
1.65 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-امیتر (Veg) |
20 V |
| حداکثر جریان کلکتور (Ic) |
100 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (Tr) |
43 nS |
| قاب ترانزیستور |
TO247 |
| کاربردها |
Power Factor Correction , Solar Inverters , Uninterruptable Power Supply (UPS) |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.