مشخصات آی جی بی تی ترانزیستور 1MBH75D-060 Transistor IGBT
قطبیت |
N-Channel |
---|---|
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
310 W |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
600 V |
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Vce sat) |
2.4 V |
حداکثر ولتاژ گیت-امیتر (Veg) |
30 V |
حداکثر جریان کلکتور (Ic) |
82 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
زمان صعود (Tr) |
0.09 uS |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.