مشخصات بی جی تی ترانزیستور A12 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
ژرمانیوم (Ge) |
|---|---|
| قطبیت |
PNP |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
0.08 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
16 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
1 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
0.015 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
75 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
8 MHZ |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
12 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
70 |
| قاب ترانزیستور |
TO1 |
| کاربردها |
AM IF |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور A12 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.