بی جی تی ترانزیستور B676 Transistor BJT | B 676

Silicon PNP-darlington-tranistor+diode // NF/S-L, 100V, 4A, 30W, B>2000


قیمت : 0

تعداد :
شناسه محصول: 50694
موجودی انبار: موجودی این کالا به طور موقت به اتمام رسیده و تامین موجودی در حال انجام است. در صورت تمایل به خرید جزئی و یا حتی عمده این کالا، با شماره تلفن واحد بازرگانی فروشگاه 01133302323 داخلی 2 تماس یا از طریق برنامه پیام رسان "بله" اعلام نمایید
علاوه بر تماس تلفنی، امکان ثبت درخواست تامین موجودی و استعلام قیمت با زدن دکمه استعلام بالا، یا از بخش سبد سفارش داخل نیز میسر می باشد.

دسته:
مشخصات فنی و کاربرد

مشخصات بی جی تی ترانزیستور B676 Transistor BJT

جنس نیمه هادی

سیلیسیوم (Si)

قطبیت

PNP-darlington

حداکثر توان مصرفی (Pc)

30 W

حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb)

100 V

حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce)

80 V

حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb)

5 V

حداکثر جریان کلکتور(Ic)

4 A

حداکثر دمای محل پیوند (Tj)

150 C

حداقل بهره جریان (Hfe)

2000

قاب ترانزیستور

TO220

کاربردها

power transistor, integrated diode , switching applications


 

فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور B676 Transistor BJT

دیتاشیت ترانزیستور B676 Transistor datasheet