مشخصات بی جی تی ترانزیستور BD681 Transistor BJT
جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
---|---|
قطبیت |
NPN-darlington |
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
40 W |
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
100 V |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
100 V |
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
5 V |
حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
4 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
انتقال فرکانس (Ft) |
1 MHz |
حداقل بهره جریان (Hfe) |
750 |
قاب ترانزیستور |
TO225 |
کاربردها |
output devices in complementary general purpose amplifier applications |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور BD681 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.