مشخصات بی جی تی ترانزیستور BU110 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
60 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
330 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
150 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
6 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
10 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
115 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
15 MHz |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
8 |
| قاب ترانزیستور |
TO3 |
| کاربردها |
TV horizontal deflection output stages |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور BU110 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.