مشخصات بی جی تی ترانزیستور C829 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
400 mW |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
30 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
20 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
5 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
30 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
230 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
1.3 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
70 |
| قاب ترانزیستور |
TO92 |
| کاربردها |
RF (AM range), RF (FM range input stage), mixer, oscillator |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور C829 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.