مشخصات بی جی تی ترانزیستور R25 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
200 mW |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
20 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
12 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
3 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
100 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
7 GHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
1 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
50 |
| کاربردها |
Microwave Low-Noise Amplification |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور R25 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.