مشخصات 2N 3055 TOSHIBA LAHIMI
جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
---|---|
قطبیت |
NPN |
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
115 W |
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
100 V |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
70 V |
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
7 V |
حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
15 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
200 C |
حداقل بهره جریان (Hfe) |
20 |
قاب ترانزیستور |
TO3 |
کاربردها |
General purpose , Audio Amplifier |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.