مشخصات بی جی تی ترانزیستور MJE13003 Transistor BJT
جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
---|---|
قطبیت |
NPN |
حداکثر توان مصرفی (Pc) |
1.4 W |
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
700 V |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
400 V |
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
9 V |
حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
1.5 A |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
انتقال فرکانس (Ft) |
10 MHz |
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
21 pF |
حداقل بهره جریان (Hfe) |
20 |
قاب ترانزیستور |
TO126 |
کاربردها |
Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits |
ترانزیستور MJE13003 قطعه ای سه پایه و از نوع ترانزیستور دوقطبی BJT - بی جی تی است. ترانزیستورها در مدارات به عنوان تقویت کننده، سوئیچ الکترونیکی، نوسان ساز، تثبیت کننده ولتاژ و ... به کار می روند. ترانزیستور MJE13003 از نوع منفی یا NPN بوده و جنس نیمه هادی آن سیلیسیم است.
از ترانزیستور MJE13003 به عنوان ترانزیستوری با قابلیت های ولتاژ بالا، سرعت کلیدزنی سریع استفاده می شود. ترانزیستور MJE13003 در حال حاضر در پکیج TO-126 در فروشگاه تکشوالکترونیک موجود است. به زودی نحوه تست ترانزیستور MJE13003 و همچنین مشابه ترانزیستور MJE13003 در این صفحه معرفی خواهد شد.
دیتاشیت ترانزیستور MJE13003 در بخش دیتاشیت و فایل ضمیمه موجود است
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور MJE13003 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.