مشخصات بی جی تی ترانزیستور 2N6029 Transistor BJT
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
PNP |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
200 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
100 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
100 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
7 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
16 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
200 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
1 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
1000 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
25 |
| قاب ترانزیستور |
TO-3 |
| کاربردها |
high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits |
فیلم تست ترانزیستور bjt به زبان ساده و نحوه تست ترانزیستور npn و pnp و پیدا کردن پایه ها با مولتی متر و تست انواع ترانزیستور سوخته روی برد و مدار smd و تست ترانزیستور 2N6029 Transistor BJT
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.