مشخصات ترانزیستور ماسفت BS170 MOSFET Transistor
| قطبیت |
N-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
350 mW |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
60 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
20 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
0.5 A |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
60 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
5 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO92 |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.