مشخصات ترانزیستور ماسفت BSS110 MOSFET Transistor
| قطبیت |
P-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
630 mW |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
50 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
20 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
680 mA |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
15 uA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| زمان صعود (tr) |
50 ns |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
40 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
10 Ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO92 |
| کاربردها |
low voltage applications requiring a low current high side switch |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.