مشخصات ترانزیستور ماسفت IRF614 MOSFET Transistor
| قطبیت |
P-Channel |
|---|---|
| حداکثر توان مصرفی (Pd) |
110 W |
| حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds) |
150 V |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) |
20 V |
| حداکثر جریان درین (Id) |
13 A |
| جریان اشباع درین-سورس (Idss) |
0.025 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
175 C |
| زمان صعود (tr) |
36 nS |
| ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss) |
860 pF |
| مقاومت درین-سورس (Rds) |
0.29 ohm |
| قاب ترانزیستور |
TO262 |
| کاربردها |
General Purpose |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.